薄膜压电mems | 代工 | 罗姆半导体集团 -凯发线上登陆下载网址
承接开发和量产工作
主要技术和服务
包括使用了硅晶圆和soi晶圆等的mems器件的工艺规划、高性能压电薄膜的生产制造、压电mems器件的代加工和设计支持等在内，罗姆可提供从试制、开发到量产的全程支持。即使想了解罗姆凯发线上登陆下载网址官网和产品目录中未列出的个别工艺，也欢迎随时联系。
量产和开发生产线
在蓝碧石半导体宫崎工厂，罗姆建设了将自有薄膜压电技术与lsi生产线相融合的6英寸mems生产线。
| 位置 | 宫崎县宫崎市清武町 |
|---|---|
| 无尘车间 | 压电mems专用部分 1,360m2 |
| 清洁度等级 | class 1-1,000 |
| 晶圆直径 | 6英寸 |
| 提供的服务 | 开发样品试制、量产 |
| iso等 | iso9001, iso14001 |
| 开发和量产经验 | 执行器、传感器 |
| 工艺技术 | pzt压电薄膜、双面si加工、晶圆键合 |
从客户咨询到量产的流程
用专用mems生产线进行代工生产，支持从产品试制到量产的整个过程！
*以上流程为通常流程示例，实际流程将根据每个项目具体协商确定。
如需咨询、委托或提出要求，请随时填写咨询页面上的表格与我们联系。
拥有的设备
通过在生产线上配备mems工艺所需的设备和分析工具，能够为各种器件提出工艺建议并实现品质提升。
| 工艺分类 | 设备 |
|---|---|
| 成膜 | |
| 溶胶-凝胶（pzt类） | |
| pe-cvd (sio2、sin) | |
| lp-cvd (sio2、sin、poly-si) | |
| 热氧化炉 | |
| 溅镀（pt、ir、iro2、alcu、ti、tin 等） | |
| ald(atomic layer deposition) (al2o3、sio2、ta2o5) |
|
| 防水涂层成膜 | |
| 光刻 | |
| 涂覆、显影 | |
| mpa (mirror projection aligner) | |
| 双面校准器、ir步进机、i-line步进式光刻机 | |
| 干刻蚀 | |
| 深硅刻蚀 | |
| 层间膜rie装置 | |
| pzt和电极用的icp刻蚀机 | |
| 湿刻蚀 | |
| 硅氧化膜刻蚀 | |
| au离子刻蚀 | |
| 硅各向异性刻蚀 | |
| 晶圆键合 | |
| 树脂键合 | |
| 阳极键合 |
| 工艺分类 | 设备 |
|---|---|
| 减薄 | |
| 全自动晶圆贴膜机 （uv胶膜、热剥离膜、聚酰亚胺膜等） |
|
| 剥离、清洗 | |
| 灰化 | |
| 有机物、聚合物剥离 | |
| 酸洗、清洗机 | |
| 划片等 | |
| 切割、二流体清洗 | |
| 晶圆切割机（circle cut dicer） | |
| 计量相关 | |
| 分析sem、测长sem、离子铣削 | |
| 光学测长仪 | |
| 偏差测量仪 | |
| 可见光/红外光/激光显微镜 | |
| x射线衍射仪 | |
| 激光式位移测量装置 | |
| x射线荧光分析仪 | |
| 接触式台阶仪、光学干涉仪 | |
| 椭偏仪 | |
| 自动外观检测设备（支持正反面穿透晶圆） | |
| 各种电气特性评估装置 （探针台、测试仪） |
工艺能力
即使想了解罗姆凯发线上登陆下载网址官网和产品目录中未列出的个别工艺，也欢迎随时联系。
| 工序 | 工艺规格 | 数值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 光刻 | 最小线宽（使用步进器） 最小线宽（使用校准器） |
1μm 3μm |
|
| 深硅刻蚀 | 侧壁刻蚀倾斜度 刻蚀速率面内均匀性 尺寸精度 |
90±1度 ≤5% ±0.1μm （均取决于pattern） |
可进行电路板过孔加工 可进行正反两面加工 （无缺口） 可进行侧壁蚀刻倾斜度控制 |
| tmah刻蚀 | 深度 | ≤面内5% | 可进行电路板过孔加工 可进行正反两面加工 |
| pzt成膜 | 膜厚精度 | 晶圆内 ±1.0% 晶圆间、批次间 ±2.5% |
掺杂示例（nb、la） |
| pzt刻蚀 | 加工线宽精度 刻蚀速率面内均匀性 |
±1μm ≤5% （pzt厚度~3μm，有侧壁刻蚀倾斜度） |
支持pt stop |
| 溅镀 | 膜厚均匀性 | ≤面内4% | pt、ir、iro2、alcu、ti、tin 等 |
| cvd | 膜厚均匀性 | ≤面内4% | sio2、sin |
| ald | 膜厚均匀性 | ≤面内5% | al2o3、ta2o5、sio2 |
| 树脂键合 | 对准精度 树脂厚度 |
±5μm 1～3μm |
环氧树脂、bcb |
| 阳极键合 | 密封内部压力 | >0.01pa | 硅/玻璃 |
试制和量产业绩示例
基于罗姆在喷头领域的量产业绩和对mems技术的钻研，罗姆目前正在与客户联合开发和试制评估小型、低功耗和高位移执行器产品。
工艺技术示例
pzt薄膜的性能
【pzt stack截面】
罗姆于1998年在全球率先成功实现铁电存储器的量产。
在对硅晶圆使用pzt薄膜方面，拥有多年的经验和技术积累。
罗姆提供的溶胶-凝胶pzt膜是使用自行研发的生产设备成膜的，可实现世界超高水准的压电性能和可靠性。
| 项目 | 值 | 条件 |
|---|---|---|
| 压电常数：e31,f (-c/n) | 19 | 10v/μm |
| 逆压电常数：d31 (-pm/v) | 260 | 10v/μm |
| 介电强度：(v/μm) | >75 | 室温 （受评估电源影响） |
| 绝缘寿命：（年） | >10 | 20v/μm, 105℃, （通过加速试验估算） |
| 循环寿命：（次） | >1x1010 | 10v/μm, 位移减少10% （单极脉冲） |
| 漏电流密度：(a/cm2) | <1x10-7 | 20v/μm |
晶圆级键合技术
【晶圆键合截面】
【晶圆键合截面/台阶上】
罗姆拥有多种硅晶圆键合技术，即使是结构复杂的器件也可以进行晶圆级键合。
*可提供粘合剂涂覆和键合工艺凯发线上登陆下载网址的解决方案。
深硅刻蚀
【400μm si贯穿】
【硅晶圆加工】
罗姆拥有多家公司的硅深刻蚀设备（包括自行开发的设备），可为产品提供最佳的硅刻蚀工艺（形状、公差、异物水平、成本）凯发线上登陆下载网址的解决方案。
薄晶圆处理技术
【薄硅晶圆】
罗姆自行开发了晶圆运输设备，支持薄硅晶圆相关的工艺和晶圆键合。
【taiko磨削晶圆】
ald保护膜形成
【硅形状截面】
即使在有复杂凹凸形状的器件上，也可以利用*ald形成均匀的保护膜。
*ald：atomic layer deposition（原子层沉积）
保护膜：保护设备免受外部因素（ink、接触造成的磨损、带电等）的影响。
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压电器件的仿真分析
【硅悬臂梁截面】
罗姆可以对压电器件进行有限元仿真，并为各种器件提供优化的结构和工艺凯发线上登陆下载网址的解决方案。
