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1. 器件结构和特征

si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600v以上的电压中主要采用igbt（绝缘栅极双极型晶体管）。
igbt通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比mosfet还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。
sic器件漂移层的阻抗比si器件低，不需要进行电导率调制就能够以mosfet实现高耐压和低阻抗。
而且mosfet原理上不产生尾电流，所以用sic-mosfet替代igbt时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。
另外，sic-mosfet能够在igbt不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。
与600v~900v的si-mosfet相比，sic-mosfet的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。
主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。

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2. 标准化导通电阻

sic的绝缘击穿场强是si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。
因此，在相同的耐压值情况下，sic可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。
例如900v时，sic-mosfet的芯片尺寸只需要si-mosfet的35分之1、sj-mosfet的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。
不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量qg、结电容也变小。
sj-mosfet只有900v的产品，但是sic却能够以很低的导通电阻轻松实现1700v以上的耐压。
因此，没有必要再采用igbt这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。

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3. v_d - i_d特性

sic-mosfet与igbt不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
而si-mosfet在150°c时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上，与si-mosfet不同，sic-mosfet的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。

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4. 驱动门极电压和导通电阻

sic-mosfet的漂移层阻抗比si-mosfet低，但是另一方面，按照现在的技术水平，sic-mosfet的mos沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比si器件要高。
因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（v_cs=20v以上则逐渐饱和）。
如果使用一般igbt和si-mosfet使用的驱动电压v_gs=10~15v不能发挥出sic本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用v_gs=18v左右进行驱动。